第82章 双管齐下,继续推进矽电晶体研制工作!

第82章 双管齐下,继续推进硅电晶体研制工作!

次日,早。

江阳刚刚来到半导体实验室。

京机厂那边。

就送来了J5060通过最终测试的消息。

至此。

他们终于拥有了,能够完成制备,且满足光刻要求硅片的设备。

会议室内。

王寿吾正在对这段时间的研究成果,进行总结。

除开J5060外。

采用氧化铝研磨膏+铸铁抛光碟,以及化学腐蚀的方式。

完成了化学机械抛光。

并利用两台显微镜加一个紫外曝光灯,搭建了「土光刻机」。

虽说只能勉强实现10微米的线宽。

但也能满足最低图形解析度的需求。

当然。

也不是所有的研究都一帆风顺。

王寿吾道:

「光刻和扩散,是我们现在面临的两大难题。」

「手工光刻误差太大。」

「而开关扩散的掺杂,不仅存在波动,同一电晶体上的阈值电压差异——」」

他说完后。

众人陷入沉思。

江阳也没有着急开口,而是等待众人讨论。

毕竟他不能什幺都解决。

没过多久。

很快便有人开口,道:

「我认为,可以尝试从光刻胶上取得突破。」

听到他的话。

所有人都下意识地看向江阳。

光刻胶这个概念。

还是江阳提出来的。

在此之前,他们都是以合金法和台面工艺制作电晶体,无需光刻胶。

王寿吾颌首道:

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