对于华芯国际而言，这些步骤都已经相当成熟。
但所有人仍然屏息凝神，生怕稍微粗重些的呼吸影响到某个细微参数，或是引得机魂不悦。
完成了所有前道准备的晶圆，终于被机械臂小心翼翼地送入arf 。
几十颗心齐齐提了起来。
但也只能干着急。
光刻过程都是在设备内部完成，根本没办法直接目视观察。
众人只能听到低沉的嗡鸣声节奏发生变化，看到设备周围的伺服机构开始动作，高精度的掩模台和晶圆台在纳米尺度上高速而精准地协同运动，充满了科技特有的力量感。
“光刻的核心，简单理解，就像用极其精密的‘光’笔，把设计好的电路图‘画’到涂了感光胶的晶圆上。”
或许是为了缓解紧张气氛，吴明翰转过身来，用最通俗的类比介绍整个光刻过程：
“掩模版就是那个高精度的‘底片’，上面刻着放大了的电路图形，光源发出的深紫外光经过物镜组汇聚穿过掩模版，再经过一系列复杂的光学透镜系统缩小聚焦，最终将微缩几十倍甚至上百倍的电路图案，精准‘曝光’在晶圆的光刻胶层上……”
“……”
他顿了顿，语气中带着庆幸和自信：
“得益于arf ，不需要再依赖相移掩模或者多重曝光这类极端技术，所以我们对这次流片的良品率非常有信心。”
随着吴明翰的话音，arf ：
激光脉冲精准激发，掩模台在纳米级精度下移动、对准，复杂的光学系统将掩模版上的图形以极高的分辨率投影到晶圆的光刻胶层上。
监控屏幕上，代表曝光进程的进度条平稳推进。
曝光完成的晶圆被送出，进入后烘步骤，使曝光区域的化学反应更加彻底，图形更加稳定。
接着是显影环节，特定的化学溶液被喷洒到晶圆表面，溶解掉未被光源照射到区域的光刻胶，从而将掩模板上的电路图形“显影”出来，清晰地呈现在晶圆表面。
定影流程则进一步强化剩余光刻胶图形的稳定性，使其能承受后续的蚀刻冲击。
