“算了。”栾文杰低声感叹，声音透过面罩显得有些沉闷，“这东西就算能展出，我们怕是也抢不过国博……”
一个玩笑，让现场的气氛轻松了不少。
但很快，他又话锋一转。
“我之前去华芯国际调研的时候，听他们的技术专家提到过。”栾文杰提出了一个更长远的问题，“在当前硅基cmos工艺的物理框架下，制程的极限大概在5nm或者3nm附近，如果按照刚才计算的107. ……”
“是否意味着，未来我们这台arf ，甚至下两代的产品？这关系到我们战略窗口期的长短！”
这个问题，张汝宁已经等待了很久。
“跟刚才那张表上的情况一样，业界宣传的‘5nm’、‘3nm’这些节点名称，仍然是制程迭代的代称，跟实际的最小物理特征尺寸并非严格的一一对应关系。”
他解释道：
“所谓‘5nm’节点实际对应的特征尺寸，业界预估会在 ‘3nm’，则可能对应到 。”
张汝宁隔着面罩整理了一下护目镜，继续深入技术本质：
“对于 ，工艺整合的复杂度也会提升，不过技术路径是确定存在的。”
尽管隔着面罩，但众人还是能感觉到，栾文杰原本皱着的眉头舒展开来。
而张汝宁语气却变得慎重起来：
“至于 ……实际上，随着芯片制程逼近硅材料的物理极限，量子隧穿效应将变得无法忽视，晶体管将难以有效关断，漏电流剧增，同时微观层面的不确定性会急剧放大，导致器件性能的波动性大幅增加。”
“一般认为这个临界尺寸会在 ，以及任何工业产品都不可能做到真正意义上的完美无缺，就算是使用euv光刻机，要想稳定量产特征尺寸在 ，而且良率会不可控制的降低。”
随后，他做了一个总结性的判断：
