高振东笑着道：“不止我们现在正在做的直拉法和区熔法，做硅单晶的办法还有很多，比如基座法、片状单晶生长、气相生长、铸锭法、液相外延等等。”
听见高振东这个话，俞允成这个在当前已经算是硅单晶制作的专业人士嘴巴张大了，高主任说的这些，相当一部分根本没听说过，就这一句话，就够他琢磨好些年的了。
“有这么多方法？”他样子有点傻呆呆的。
高振东点点头：“没错，不过这些方法都有这样那样的问题，总的来说，电子技术上用的半导体材料，在我看来，相当一段时间内最合适的还就是正在搞的直拉法和伱说的区熔法。”
实际上哪怕到了几十年后，半导体用硅单晶的生产方法还是以这两个为主，其中直拉法占了75%左右的产量。
听见高振东肯定了自己的想法，俞允成心里很有几分窃喜。
然后高振东就告诉了他为什么一开始不做区熔法：“但是从这两个方法来看，适应范围最广、晶体直径最容易做大、技术更简单的，是直拉法。”
俞允成对于区熔法有所了解，但是对于区熔法的原理和具体实现方法是不了解的，大概就处于闻名但是但未见面的程度。
“高主任，区熔法具体一点是个什么回事呢？”
高振东干脆把区熔法的原理向俞允成介绍了一遍。
简单来说，直拉法是把硅在锅里烧化，然后往上拉晶。
区熔法则是把硅棒吊起来，把下端烧化，然后往下拉晶。
俞允成听见了有些惊讶：“啊，这样啊，好像是比较难控制。”
不愧是搞这个的，一听就明白，高振东笑道：“对，这个方法熔化的硅液主要靠表面张力维持不掉落，所以直径想做大，比直拉法要困难，同时整个拉晶过程的可控性差，容易导致晶体结构缺陷。”
俞允成明白了：“嗯，看来选择技术路线不能光靠单一指标，还是要综合考虑的。”
高振东笑道：“说对了，对于现在来说，直拉法的缺陷是可以通过设计手段来弥补或者削弱的，比如增加石英内坩埚。而它的好处却是实实在在的，我们不是搞理论研究，理论研究可以只盯着高处，我们搞的是应用研究，还是要看看周围。”
