第二个月：“我觉得应该是硒空位缺陷导致的费米面重构不完整，吴工，尝试一下增加后退火步骤，在真空下加热到400°c，促进界面电荷转移。”林燃提醒道“我觉得界面效应会是关键，srtio3的极性层会诱导二维电子气，提升tc。”
这和 ，fese/srtio3系统可以利用界面效应将tc从8k推到 。
团队迭代三次，调整硒/铁比从6:1到8:1，终于在第四个样品上看到进步：xrd显示锐利峰，表明完美晶格匹配。
第三个月，才开始初见曙光，使用高压氧掺杂，fese薄膜的晶格扭曲，a轴参数从3. . -声子耦合增强。
在模拟观测中，显示tc能达 。
林燃说：“我知道大家很高兴，但这还不够，我们需要继续优化。
因为月球南极的辐射环境会干扰cooper对，但低温能抑制热噪声。
我们需要集成辐射屏蔽层，用硼掺杂金刚石作为缓冲，bdd的tc虽只有 。”
他们开始掺杂实验：在mbe腔内引入氧气束，压力控制在10^-6 torr，掺杂水平0.1-0.2原子%。
测试使用四探针法测量电阻-温度曲线：在氦气制冷机下，从 ，磁化率测试确认meissner效应，临界电流密度jc达10^5 a/cm。
“教授，根据失败样品分析，stm显示氧团簇导致相分离。”吴工说。
林燃思考片刻后说道：“调整氧束能量可行吗？”
他们调整氧束能量从5ev到3ev来对均匀性进行优化调整。
第四个月，团队终于做出第二个样品：一个5cm见方的芯片，表面闪烁着金属光泽，集成bdd屏蔽层厚度2μm。
测试在液氮模拟下，电阻骤降到零，能够运行简单ai算法：芯片处理 %，且无热积累。
整个团队空前振奋，因为至少到了这里，这条路是可行的。
从路径的层面，这是能够超过硅基的材料。
在地球上，我们没有办法在短期内超过英伟达，那么我们就仰望星空。
在团队士气为之一振的时候，林燃提醒道：“这只是地球测试，月球的微重力会影响薄膜应力，我们需模拟真空脱气。”
第六个月，团队在真空模拟舱里进行最终验证。
实验人员戴上手套，动作小心地将样品放入测试架。
所有成员都屏气凝神，有的在实验室外等结果，有的在办公室等结果：这是最后一步，如果通过，就能送上月球。
“启动模拟！”林燃命令道。
舱内抽真空到10^-7 torr，温度通过辐射冷却降到 ，每平方厘米10^ /秒。
芯片连接上ai测试电路：输入一个卷积神经网络模型，处理模拟月球图像数据。
屏幕上显示电阻保持零，计算误差率<0.1%，jc在辐射下仅下降5%。
“林总，它稳定了！
