第110章 近接式光刻机,微米级微调机构!

「有了觉得20w次每秒能搞出来的想法?」

很快。

黄琨和林岚因就说完了她们负责部分的问题。

并且提出了一些思路。

江阳没有急着评价,而是看向王寿吾。

后者摆了摆手,道:

「黄教授和林教授说得很全面,我没什幺补充的。」

闻言,江阳颌首道:

「好,那我来说。」

「其实刚刚林教授的想法很不错。」

「我们现在的接触式光刻,缺少精密系统的辅助—.」

他一边说。

一边在身后的小黑板上写下几个关键点。

一掩膜与基片直接接触、光源简陋、手工操作。

总体上。

是根据林岚因的思路,先去分析简易光刻机的缺陷。

待江阳说完后。

林岚因立刻道:

「所以我们现在是要完成标准的接触式光刻吗?」

她在M帝时。

听说过接触式光刻的理论。

但目前来说,还没有一个很好的应用。

江阳道:

「不完全是。」

「接触式光刻其实存在个明显的缺陷。」

「近距离的物理接触,会导致掩膜的损失,大大降低寿命。」

他说完后。

林岚因、黄琨和王寿吾,陷入沉思。

不采用接触式的话。

就完全没有可以依照的理论,只能摸着石头过河。

就在这时。

江阳继续道:

「所以我们需要保留掩膜与晶圆间微小的间隙。「

「没有物理接触。」

「自然能有效地提掩膜的使用寿命。」

林岚因道:

「可是这样的话,恐怕需要更高的曝光时间。,「而且间隙控制。」

「没有够精度的调整机构,恐怕难以做到。」

江阳没有立刻回应。

而是默默地将手伸向随身的挎包。

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