第86章 矽电晶体实验成功!

「巧了,我们也是这幺想的。」

他说完后。

便立刻转过身,让人照做。

瞩附完后,又回来和江阳继续讨论。

硅电晶体制造的流程很长。

从单晶切割、机械抛光、化学清洗。

到干氧氧化、光刻与图形化,掺杂PN结。

每个步骤。

都要花上数个小时的功夫。

而且整个过程。

并不是一帆风顺。

比如掺杂PN结时,没有离子注入机,开关扩散掺杂浓度波动有土30%。

这个数字,显然是不能接受的。

因此必须通过经验修正。

当然,江阳他们现在没有经验,所以足足失败了好几次。

才勉强得到一个理想的数据,继续进行试验。

不过这时候。

一天的时间,也就这幺过去了。

接下来。

半导体研究室,就是不断地重复实验。

在三天后。

吸取数次失败的经验教训,众人终于做出成果。

实验室内。

王寿吾眼角带笑,正想跟宣布这个好消息。

忽然看到坐在边上喝茶的江阳。

他走上前,道:

「江教授,要不您来说罢。」

说着。

王寿吾将手中的实验结果报告,递了出去。

虽说江阳一直是技术总顾问的身份参与研究。

但在他的心中。

就是硅电晶体研究的技术负责人。

江阳看着报告,道:

「其实还是有很多不足的。」

「在实验过程中。」

「出现了光刻图形失真、扩散结深失控和金属电极失效等问题—.—」

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