客厅内。
时间一分一秒地过去。
吴德心和李智俭两人，紧张得大气都不敢出。
江阳偶尔皱眉时。
他们的心更是一沉到底。
……
就这样过去10多分钟。
江阳看完吴德心的稿纸后，
缓缓道：
「建立电离杂质散射和晶格振动散射的理论建模，这一步做得不错。」
「但要考虑到。」
「在低温下，部分杂质是否有未电离的问题，不能将总掺杂浓度Nd直接代入……」
听着江阳的分析。
吴德心「唰」地一下直接低下了头。
但他并没有失落太久，
很快就调整好心态。
从随身的挎包中，掏出纸笔记下江阳所说的问题。
……
接下来。
轮到李智俭。
他选择的问题。
是高电场下的载流子雪崩击穿机制的定量分析。
实话说。
这放在国际学界，都是一个难题。
首篇硅雪崩二极体专利，都是到了60年，才由贝尔实验室申请。
想在国内研究。
基础的雪崩击穿理论，非常难获取不说。
比较关键的载流子热化效应也尚未完全阐明。
只依靠简化的模型。
基本没有解决这个问题的可能。
当然。
李智俭的研究思路，还是非常不错的。
江阳看完后。
拿出铅笔，在一张稿纸写下雪崩击穿条件：
∫0dαpe∫0x(αp?αn)dxdx=1∫0dαpe∫0x(αp?αn)dxdx=1。
（αp，αnαp，αn为空穴/电子电离系数）。
看着复杂的数学公式。
